Fabrication et caractérisation des films CuInGase2 par pulvérisation cathodique

Résumé du livre

Dans ce travail, nous nous intéressons aux défauts qui peuvent exister dans les couches minces de CIGS préparés par pulvérisation RF à partir d’une cible quaternaire. Pour réaliser les dispositifs, nous avons mis au point un protocole de dépôt à quatre étapes qui a permis d’obtenir des films minces de façon fiable. Malgré une disproportion des atomes dans le dépôt orignal, les analyses spectroscopiques montrent que les caractéristiques correspondent aux CuInGaSe2 sous forme de chalcopyrite. Ensuite, nous avons déterminé les caractéristiques courant-tension. Nous mesurons les paramètres des pièges dans les diodes par la spectroscopie des pièges profonds par la charge. Nous mettons en évidence les deux groupes de piège dans le composé ceux peu profonds (ET100meV) et ceux profonds (100meV) Nous montrons également que ces pièges sont sensibles à la nature de l’interface composé/électrode et que la nature et la densité de pièges sont affectées par la nature du métal employé au contact Schottky.