Chapitre 2 - Transistors à effet de champ basés sur des matériaux 2D : perspective de modélisation

Résumé du livre

Le potentiel des matériaux 2D pour des applications dans les transistors à effet de champ présenté sur la base de simulations de transport quantique d’électrons basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité, les fonctions localisées de Wannier et la fonction de Green hors équilibre. Il en résulte un aperçu détaillé et des perspectives claires. Mots-clés : transistors, simulation du transport quantique, théorie de la fonctionnelle de la densité, matériaux 2D, dichalcogénures de métaux de transition. DOI : 10.51926/ISTE.9127.ch2 Chapitre de l'ouvrage : Au-delà du CMOS / DOI : 10.51926/ISTE.481273 / ISBN : 9781789481273