EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE GAAIAS/GAAS ET D'HETEROSTRUCTURES A MODULATION DE DOPAGE
Auteur : ISABELLE.. HARDY
Date de publication : 1984
Éditeur : Non disponible
Nombre de pages : 211
Résumé du livre
DESCRIPTION DU SYSTEME D'EPITAXIE UTILISE ET DES PROBLEMES DE CONTROLE DE LA CROISSANCE DE GAALAS/GAAS RENCONTRES. DETERMINATION DE LA COMPOSITION DU TERNAIRE REALISE A L'AIDE DE TROIS TECHNIQUES: DIFFRACTION RX, SONDE IONIQUE, SPECTROSCOPIE RAMAN. LES RESULTATS OBTENUS SONT UTILISES POUR FOURNIR DES ELEMENTS QUANTITATIFS POUR LE CONTROLE DU PROCESSUS D'EPITAXIE. UTILISATION DE L'EMISSION DE PHOTOLUMINESCENCE POUR OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE. ETUDE DETAILLEE, DANS LE CAS DE GAALAS, DES MESURES DE RESISTIVITE ET DE TENSION DE HALL. ENFIN, EXAMEN DE LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES GAALAS/GAAS A BARRIERE MODULEE ET PRESENTATION DES PERFORMANCES OBTENUES EN PHOTODETECTION A 820MM